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La nuova serie di transistor IGBT 1350V di StMicroelectronics migliora la variabilità e l'efficienza

Ogni progresso tecnologico nei componenti elettronici è come l'alba al mattino, annunciando l'arrivo di nuovi campi di applicazione.L'ultima versione di STMicroelectronics di Transistor IGBT della serie 1350V non è solo un'ottimizzazione continua della tecnologia elettronica tradizionale, ma anche un'innovazione di salto nel campo elettronico futuro.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figura 1: Transistor IGBT serie STMicroelectronics.

Prima di introdurre questo nuovo prodotto, capiamo cosa è IGBT (transistor bipolare gate isolato).Un IGBT è un dispositivo a semiconduttore che combina l'elevata impedenza di input di un MOSFET (transistor ad effetto di campo-semiconduttore di ossido di metallo) con la bassa tensione di svolta di un BJT (transistor bipolare).Grazie a questa funzione, il transistor IGBT combina i vantaggi di entrambi e ha migliori caratteristiche di conduzione e capacità di resistenza a tensione più elevata rispetto ad altri dispositivi a semiconduttore come MOSFET e BJT.

L'ultima serie di transistor IGBT offre progressi significativi.La tensione di rottura è stata aumentata a 1350 V, mentre la temperatura di funzionamento massima raggiunge ora 175 ° C.Questi miglioramenti non sono solo numerici;Intendono che questi transistor possono funzionare eccezionalmente bene in ambienti più impegnativi.La tensione di rottura è un parametro critico in quanto determina la massima tensione di polarizzazione inversa che un dispositivo a semiconduttore può gestire senza essere danneggiato.Con una tensione di rottura più elevata, il dispositivo può funzionare a tensioni elevate senza problemi.L'aumento della temperatura operativa è anche degno di nota, consentendo ai transistor IGBT di rimanere stabili anche in ambienti ad alta temperatura.Ciò diventa particolarmente cruciale per le applicazioni con requisiti di calore estremi

L'efficienza di conversione del potere dei transistor IGBT della serie IH2 STPOWER ha anche attirato un'attenzione diffusa nel settore.Nell'era del risparmio energetico e della protezione ambientale, l'efficienza energetica è cruciale per le moderne apparecchiature elettroniche.Un punto culminante che non può essere ignorato è il basso valore della sua tensione di saturazione VCE (SAT), che garantisce che il consumo di energia del dispositivo sia ridotto al minimo nello stato sullo stato, fornendo così un forte sostegno per il funzionamento stabile del sistema.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figura 2: Transistor IGBT serie STMicroelectronics.

La versatilità di questo nuovo transistor IGBT lo rende applicabile in varie impostazioni.Non solo può essere utilizzato in apparecchiature di riscaldamento elettromagnetico industriale di fascia alta come sistemi di energia rinnovabile, stazioni di ricarica dei veicoli elettrici e grandi macchinari, ma è anche adatto per gli elettrodomestici di tutti i giorni come le stufe da cucina, i forni a microonde con frequenze variabili,e pentole di riso.Ciò è possibile perché il transistor IGBT controlla efficacemente le correnti elettriche sostanziali, migliorando l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi di riscaldamento elettromagnetico riducendo al contempo il consumo di energia negli elettrodomestici.In effetti, gli apparecchi che utilizzano la tecnologia dei transistor IGBT possono ridurre l'utilizzo dell'energia fino all'11% rispetto ai metodi tradizionali.

L'effetto del coefficiente di temperatura positivo di VCE (SAT) nei transistor IGBT garantisce che l'aumento della temperatura, anche la tensione di saturazione VCE (SAT).Questo effetto migliora la distribuzione di energia tra più transistor IGBT paralleli, portando a una maggiore affidabilità del sistema.In sintesi, quando la temperatura aumenta, è migliorata la stabilità dell'operazione parallela di transistor IGBT.Sebbene questo dettaglio tecnico possa sembrare piccolo, svolge un ruolo cruciale nel garantire il costante funzionamento delle attrezzature.

I due dispositivi iniziali di questa serie, vale a dire il 25A STGWA25IH135DF2 e 35A STGWA35IH135DF2, utilizzano il pacchetto di potenza a lungo termine TO-247, che offre una dissipazione del calore superiore, una maggiore resistenza meccanica e una migliore prestazione elettrica rispetto ad altre forme di pacchetti.

L'innovazione tecnologica di STMicroelectronics non solo amplia le scelte disponibili per gli ingegneri elettronici, ma annunciano anche numerose possibilità nel mercato dei componenti elettronici futuri.Questa innovazione e progresso continui fungono da forza trainante per lo sviluppo della tecnologia elettronica e promuovono il progresso generale della società.Indubbiamente, questa innovazione tecnologica pone una nuova pietra miliare nel settore dei componenti elettronici.Come ingegneri elettronici o osservatori del settore, siamo pronti ad abbracciare questo cambiamento trasformativo?L'innovazione tecnologica di StMicroelectronics non solo ci fornisce più scelte, ma mette anche in mostra il potenziale illimitato del futuro mercato dei componenti elettronici.

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